等离子体工艺状态监测方法、装置、设备和存储介质

等离子体工艺状态监测方法、装置、设备和存储介质。根据预设的成膜质量目标和等离子体状态生成得到第一工艺参数；当反应腔气体气压在气压阈值范围内，则对第一工艺参数进行调节，以得到第二工艺参数；根据霍尔探头坐标集、实际电场强度和预设的平均电场强度计算得到束流均匀性指标；当束流均匀性指标大于或小于均匀指标阈值，则对第二工艺参数进行调节，以得到第三工艺参数；根据第三工艺参数生成更新获取时间，返回执行根据参数获取时间获取所有的霍尔探头坐标，直至满足束流均匀性指标等于均匀指标阈值的迭代停止条件，则生成工艺完成指令；多维度参数协同优化与动态迭代，提升等离子体成膜质量与稳定性，解决传统工艺难题，助力产业降本增效。