一种具有横向载流子扩展超晶格的激光器芯片及制备方法

本申请提供的一种具有横向载流子扩展超晶格的激光器芯片及制备方法涉及半导体激光器技术领域。该芯片依次包括N‑型欧姆电极、衬底、缓冲层、N‑型限制层、N‑型波导层、有源层、P‑型波导层，P‑型限制层、欧姆接触层和P‑型欧姆电极。P‑型波导层的两侧插入由无掺杂、窄带隙的Alx7Iny7Ga1‑x7‑y7As层和P‑型掺杂、宽带隙的Alx8Iny8Ga1‑x8‑y8As层交替叠加形成的第一超晶格层。P‑型限制层的两侧插入由无掺杂、窄带隙的Alx10Iny10Ga1‑x10‑y10As层和P‑型掺杂、宽带隙的Alx11Iny11Ga1‑x11‑y11As层交替叠加形成的第二超晶格层。该芯片利用第一超晶格层和第二超晶格层可以促进器件两侧的空穴在无掺杂、窄带隙层中由芯片的两侧向中间进行迁移和运输，且不会造成大的光损耗，在保证高的电光转换效率的同时提升基模的强度，抑制高阶模式。