薄膜铌酸锂电光调制器及其制造方法

本发明公开了一种薄膜铌酸锂电光调制器及其制造方法，该方法中首先在兼容CMOS工艺的氮化硅层上制作光波导和金属电极，将键合薄膜铌酸锂层作为后续步骤，减少了与CMOS工艺不兼容的情况，同时键合的薄膜铌酸锂层容许的对准误差可以到100μm，降低制造难度。薄膜铌酸锂电光调制器采用芯片到晶圆(die‑wafer)异质键合的形式，有利于实现硅基电光子集成系统，实现大规模电光集成芯片的产业应用。所述方法包括：提供一衬底晶圆；形成氮化硅层；形成多个光波导；形成多个金属电极；形成第二绝缘介质层；形成多个薄膜铌酸锂层和多个氧化硅层；形成钝化层。