一种金刚石嵌入式半导体芯片集成散热器及其制备方法

本发明归属半导体芯片散热领域，涉及一种金刚石嵌入式半导体芯片集成散热器及其制备方法，该方法步骤如下：S1：加工铜合金基板形成内设凹槽的金属基外壳框架；S2：嵌入与芯片发热区域尺寸匹配的金刚石导热体，并通过钎焊、激光熔覆或粘接工艺形成界面结合层；S3：对金属基外壳外表面进行电镀处理，形成抗氧化镀层；S4：抛光金刚石接触面至目标粗糙度，完成集成散热器制备。本发明解决了现有集成散热器导热差导致的芯片性能受限问题。本方案在铜合金框架内嵌高导热金刚石，快速导出芯片热量，可适配多类型芯片散热需求，兼容现有封装产线，显著提升高功耗芯片散热效率与可靠性，为5G通信、人工智能及超算芯片提供低成本、高性能的散热解决方案。