一种改善凸块与底部结合力的方法、芯片结构

本发明属于芯片封装技术领域，特别的，属于一种改善凸块与底部结合力的方法、芯片结构。方法：在晶圆的基底上沉积种子层，在种子层上涂覆光刻胶膜，去除多余光刻胶膜，将目的图形投影到光刻胶膜上，显影，去除多余光刻胶膜，在剩余光刻胶膜上形成RDL布线图形层，沉积金属层，去除RDL布线图形层中的光刻胶膜，覆盖绝缘层，制作出布线开口，在布线开口中制作凸块，去除多余绝缘层和种子层；种子层的材质包括Ti、Cu、薄膜，薄膜由纳米复合液固化得到，纳米复合液的原料包括二氧化硅、多巴胺、3‑巯基丙基三乙氧基硅烷、硫酸铜、PVP。芯片结构由方法制备得到。本发明能够提高芯片结构之间的结构结合力，改善凸点不良问题。