一种芯片BI电性能的老化测试方法及系统

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一种芯片BI电性能的老化测试方法及系统
申请号:CN202510799876
申请日期:2025-06-16
公开号:CN120314759B
公开日期:2025-09-23
类型:发明专利
摘要
本发明涉及芯片老化测试技术领域,公开了一种芯片BI电性能的老化测试方法及系统,所述方法包括获取测试时间、温度和电压;根据这些特征,输入到预设模型中,得到预测电性能参数;获取测试中的当前电性能参数,并计算当前电性能参数与预测值的变化特征;当变化特征不符合对应条件时,计算第一、第二和/或第三量化指标;将这些量化指标输入芯片寿命预测模型,得到寿命预测结果。本方法能够实现对芯片在实际应用中的性能变化状态或者真实寿命的准确反映。
技术关键词
老化测试方法 漏电流 支持向量机模型 寿命预测模型 指标 芯片老化测试 电场 电压 非线性特征 时间段 数据预处理方法 老化测试系统 应力 栅极氧化层 速率 参数
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