芯片及芯片的制造方法、光计算设备

本申请的实施例公开了一种芯片及芯片的制造方法、光计算设备。所述芯片包括边缘耦合器，所述方法包括：提供衬底以及衬底上方的覆盖层，其中所述覆盖层包括多个开孔；通过第一刻蚀工艺对衬底进行处理，以在衬底中形成多个空隙，其中，所述第一刻蚀工艺在边缘耦合器的耦合端面形成深沟槽，所述多个空隙分别对应多个开孔；以及，经由所述多个开孔对所述多个空隙进行进一步刻蚀，使得在平行于所述衬底的平面上，所述空隙的投影面积增大；其中，所述多个开孔包括距离所述深沟槽距离较近的第一开孔以及距离所述深沟槽较远的第二开孔，所述第二开孔的开口面积大于所述第一开孔的开口面积。