一种面向密集波分复用的2.5维异构硅光波导集成芯片

本发明公开了一种面向密集波分复用的2.5维异构硅光波导集成芯片，通过在单一SOI平台上设计光栅耦合器大于220nm和硅波导微环谐振器阵列小于200nm两种厚度的顶层硅波导器件结构，借助光刻、刻蚀等微纳加工工艺实现区域化厚度调控，使同一硅材料层在不同功能区域形成阶梯状高度分布，充分利用这两种硅层独有的特性来提升器件的性能，硅波导微环谐振器阵列支持模块化扩展，通过增加微环数量即可线性提升通道容量，无需重新设计光路架构和复杂流程，仅需两次光刻和两次刻蚀即可完成硅波导制备，为下一代高密度、高可靠性的DWDM光通信系统提供了新的思路，有望在数据中心互联、5G前传网络及长途干线通信中实现应用，器件通道容量与性能潜力将得到更深度释放。