封装结构及其形成方法

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封装结构及其形成方法
申请号:CN202510831258
申请日期:2025-06-20
公开号:CN120878638A
公开日期:2025-10-31
类型:发明专利
摘要
本申请公开了一种封装结构及其形成方法,该形成方法包括:提供第一晶圆,包括多个第一晶粒;提供第二晶圆,包括多个第二晶粒;刻蚀第二晶圆的第二键合面,在部分第二晶粒上形成第一凹槽;提供第三晶圆,包括多个第三晶粒;将第二晶圆的第二键合面与第一晶圆的第一键合面键合,使得一部分第二晶粒与对应的第一晶粒键合,而另一部分第二晶粒由于第一凹槽的存在不会与对应的第一晶粒键合;将第三晶圆的第四键合面与第二晶圆的第三键合面键合,使得至少部分第三晶粒与对应的第二晶粒键合;对键合后的第一晶圆、第二晶圆和第三晶圆进行分割,形成多个分立的第一芯片堆叠结构和第二芯片堆叠结构。实现不同尺寸的晶粒的晶圆键合,提高了制作效率。
技术关键词
封装结构 芯片堆叠结构 晶圆 尺寸 凹槽 金属材料 阳极键合工艺 焊料 介质 层材料 氧化硅 碳化硅 合金
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