一种基于纳米压印技术的高精度芯片制造方法

本发明涉及半导体芯片制造中的纳米压印技术领域，公开一种高精度芯片制造方法及设备。通过复合模板(石英/氮化硅/含氟硅烷)、实时填充监测的阶梯压印、低温‑超声‑摆动协同脱模、飞秒激光原位修复及超临界清洗再生技术，解决模板寿命短、压印精度低、脱模损伤大问题。实现套刻精度±3nm、模板寿命＞200次、缺陷率＜0.1defects/cm2，适用于5纳米以下节点芯片量产。