大曝光场的光刻技术实现方法及芯片级芯片互连方法

本申请公开了一种大曝光场的光刻技术实现方法、芯片级芯片互连方法以及光刻设备。该大曝光场的光刻技术实现方法应用于光刻设备，光刻设备包括0.1至2.5倍缩小倍率的投影系统，包括：将有图形的待曝光衬底装载至载物台，通过衬底上的对准标记进行对准，偏置设定的偏移距离；执行第一曝光，通过投影系统将掩膜版的预设图形转移至衬底的第一曝光区域；将衬底或掩膜版横向步进M倍原有图形单元的横向尺寸，或纵向步进N倍原有图形单元的纵向尺寸，执行第二曝光，通过投影系统将预设图形转移至衬底的第二曝光区域；连续执行横向步进或纵向步进及第二曝光，直至完成衬底上目标区域的曝光。本方案能够形成大尺寸的曝光场，实现集成电路的高密度互连。