基于e-p-n量子纠缠态基本粒子模型的忆阻器以及量子芯片的物理原理及应用的探究方法

本发明涉及电子技术领域以及量子领域，具体公开了一种基于e‑p‑n量子纠缠态基本粒子模型的忆阻器以及量子芯片的物理原理及应用的探究方法，立足于e‑p‑n量子纠缠态基本粒子模型，对忆阻器的物理理论和物理实在进行细致研究，确定忆阻器原理与位移电流原理的强相关联系，以及量子纠缠性质，以忆阻器量子纠缠性质为基础，研发忆阻器多阻值多进制逻辑电路+忆阻器非易失性量子纠缠态存储，进而提出一种新的基于忆阻器的量子纠缠态感存算一体架构，使得量子计算、经典计算以及神经形态计算得以有机融合，使得人工智能、大数据分析和科学计算等应用领域的性能提升都大幅提高。