一种多芯片扇出封装结构及封装方法

本发明涉及芯片封装技术领域，具体地说是一种多芯片扇出封装结构及封装方法。包括第一重布线层，所述的第一重布线层一侧表面通过第一UBM层电连接芯片，第一重布线层另一侧表面分别设有垂直导电结构、硅桥芯片，硅桥芯片一侧通过BCB层连接PI层，PI层另一侧分别设有第二重布线层、第三重布线层垂直导电结构电连接第一重布线层与第二重布线层。同现有技术相比，利用BCB材料的粘性，使TSV硅桥芯片露头后直接贴片置于载板一侧，减少TSV硅桥的FC过程，避免Underfill的使用，将硅桥芯背面TSV直接通过重布线层引出至塑封层的背面。