半导体刻蚀清洗装置和方法

本申请提供了一种半导体刻蚀清洗装置和方法，其中，该装置包括：真空仓、反应仓、转移装置，真空仓与反应仓通过第一连接盖门密封连通，转移装置在真空仓、反应仓之间转移刻蚀后的半导体硅片，其中，刻蚀后的半导体硅片在真空仓内进行羟基化处理、在反应仓内采用超临界二氧化碳和超临界共溶剂的混合流体对半导体硅片进行表面冲洗，并在冲洗之后进行干燥处理。在真空仓内对刻蚀后的半导体硅片进行羟基化处理，增强了刻蚀后的半导体硅片的抗腐蚀性，在反应仓内利用超临界二氧化碳的高扩散性能，使混合流体进入刻蚀后的半导体硅片的细小空间，超临界共溶剂能够进入细小空间对残余胶体进行分解，有利于提升去胶效果，避免残留胶体对后续工艺造成影响。