三维集成射频微系统及其制作方法

本发明公开了一种三维集成射频微系统及其制作方法，制作方法包括：将各背面接地芯片的背面电极引出至与其正面电极共面，形成共平面二维结构；所述共平面二维结构中共面的端面为其正面；将多个共平面二维结构和多个TSV阵列通过晶圆重构和再布线形成I N‑FO结构；将射频微系统所需的拓展器件连接至I N‑FO结构，形成三维集成射频微系统。本发明中，通过形成共平面二维结构可以将背面接地芯片的背面电极信号引出至正面，并能更好的散热，解决了现有射频微系统由于底部引出和散热问题引起无法实现三维集成，从而无法提高射频微系统的集成度等问题。