一种基于金丝键合的超宽带毫米波过渡结构

本发明提供一种基于金丝键合的超宽带毫米波过渡结构，涉及毫米波芯片封装技术领域，所述过渡结构包括：基板、矩形腔体、芯片、并联金丝连接结构、阶梯型接地共面波导GCPW匹配结构以及多个盲孔；所述基板，包括：顶层介质层、中间金属层以及底层金属层；所述矩形腔体，设置于所述顶层介质层上；所述芯片，固定在所述矩形腔体内；所述并联金丝连接结构，用于连接所述芯片和所述阶梯型接地共面波导GCPW匹配结构；所述多个盲孔，垂直贯穿所述基板，并位于所述矩形腔体边缘与金丝键合正下方区域，连接所述中间金属层与所述底层金属层，用于抑制自激振荡。通过本发明提供的方法，在30‑100GHz频带内实现平均损耗低于0.28dB的芯片到基板的过渡。