一种半导体芯片的电性能测试方法及系统

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正文
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一种半导体芯片的电性能测试方法及系统
申请号:CN202510900271
申请日期:2025-07-01
公开号:CN120629889A
公开日期:2025-09-12
类型:发明专利
摘要
本发明公开一种半导体芯片电性能测试方法及系统,通过获取芯片在各频段下的介质损耗数据、内部材料特性及动态负载功率因数,建立介质损耗与损耗频率的映射关系,识别损耗异常区域并分析其对芯片性能的影响,采用最小均方误差算法校正测试数据,优化供电网络阻抗和功能模块动态开关特性;计算芯片内部各层击穿电压分布,识别高压风险区域,利用梯度下降算法优化电压分布,动态调整工作电压和电流;通过滑动窗口算法分析功率因数波动,识别异常区域,采用PID算法优化功率因数,提升芯片在动态负载的工作状态和瞬态响应。本发明解决高频介质损耗非线性、击穿电压分布不均及动态负载下功率因数响应不稳定的问题,实现对芯片性能的全面准确评估和优化。
技术关键词
电性能测试方法 非线性特征 损耗 功率因数 半导体芯片 滑动窗口算法 梯度下降算法 动态开关 PID算法 电压 校正 风险 补偿值 供电网络 高压 介质 电性能测试系统 电流
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