基于引信芯片的高密度全温度修调方法及系统

本发明涉及集成电路温度补偿与高精度校准的技术领域，公开了基于引信芯片的高密度全温度修调方法及系统；所述高密度全温度修调方法应用于芯片修调设备，具体包括以下步骤：S101：接收引信芯片的温度信息，将引信芯片的工作温度范围划分为多个连续的温度子区间，在每个子区间内均匀部署校准点，校准点的温度坐标通过高精度温度传感器实时采集，再通过模数转换器量化。本发明通过动态调整子区间校准点密度，有效捕捉温度敏感区域的非线性特征，结合三次埃尔米特插值与残差补偿算法，使相邻校准点间的局部拟合误差降低至0.02℃以下，此外，冗余校验存储架构与交错寻址技术的应用，使校准参数抗单粒子翻转能力提升。