一种正面键合的异质集成芯片及制备方法

本申请提供一种正面键合的异质集成芯片及制备方法，异质集成芯片的氮化硅波导层设置在硅波导层上，并与硅波导层耦合；铌酸锂波导层设置在氮化硅波导层背离硅波导层的一侧，并与氮化硅波导层耦合；铌酸锂波导层包括相互连接的第一子波导层和第二子波导层，第二子波导层设置在氮化硅波导层的一侧，且第二子波导层和氮化硅波导层在硅波导层上的正投影相互交叠，第一子波导层设置在第二子波导层背离氮化硅波导层的一侧；氮化硅波导层作为中间耦合层，将硅波导层和铌酸锂波导层集成在同一芯片上，使得该芯片能够兼具硅光芯片和铌酸锂的优点；并且能够允许铌酸锂波导采用更大线宽的接触式光刻工艺，有利于降低刻蚀难度与设备成本。