基于半导体衬底的电路-热沉单片集成基板及其制备方法

本发明涉及功率器件封装与散热技术，旨在提供一种基于半导体衬底的电路‑热沉单片集成基板及其制备方法。该集成基板具有多层结构，包括半导体衬底、绝缘外延层、缓冲金属层和有源电路层；在半导体衬底中设有微流道结构，有源电路层包括功率芯片和引线框架层，绝缘外延层、缓冲金属层和引线框架层均以外延生长方式；缓冲金属层、有源电路层和微流道结构均分为多组且互不相连，各组微流道结构的排布区域分别对应着引线框架层所处区域。本发明采用在晶圆片上生长工艺，将电路与热沉在半导体衬底上同步加工，能够消除各层结构间的孔隙，从而在结构上实现更加紧密的一体化集成；相比传统液冷结构，省去了热界面材料，使封装保持极低的传导热阻。