功率模块及其并联芯片动态电流的均衡方法与制造方法

AITNT
正文
推荐专利
功率模块及其并联芯片动态电流的均衡方法与制造方法
申请号:CN202510949633
申请日期:2025-07-10
公开号:CN120854452A
公开日期:2025-10-28
类型:发明专利
摘要
本公开提供了一种功率模块及其并联芯片动态电流的均衡方法与制造方法,该功率模块包括:基板的第一布线,用于构成多个下桥臂功率芯片的源极路径;并联的多个下桥臂功率芯片,位于基板上,还包括叠层结构,位于第一布线上,叠层结构包括:顶部导电层,用于构成多个下桥臂功率芯片的栅极驱动路径;绝缘层,位于第一布线与顶部导电层之间,用于隔离栅极驱动路径与源极路径,沿基板的厚度方向,叠层结构的正投影的至少部分落在第一布线上使源极路径与栅极驱动路径在至少部分区域交叠,绝缘层的厚度与交叠区域的耦合系数对应。该功率模块可利用绝缘层厚度调节重叠路径的耦合系数,从而实现多芯片并联时的动态电流均衡。
技术关键词
功率芯片 叠层结构 顶部导电层 布线 信号端子 均衡方法 栅极信号 基板 Si3N4陶瓷 功率模块电路 Al2O3陶瓷 AlN陶瓷 汇流 动态 键合线
系统为您推荐了相关专利信息
1
一种AMB基板嵌入PCB封装集成功率模块及制作方法
集成功率模块 功率芯片 基板 绝缘导热材料 防焊绝缘层
2
MOSFET功率半导体模块、电机控制器及汽车
功率半导体模块 栅极信号 功率芯片 电极端子 信号连接件
3
多芯片封装结构
芯片堆叠结构 多芯片封装结构 布线 基板 散热盖
4
一种封装屏蔽结构及其封装工艺
半导体芯片 包封 外屏蔽 屏蔽结构 封装体
5
显示装置和测量显示装置的电阻的方法
电路板 显示装置 基底 测试线 芯片
添加客服微信openai178,进AITNT官方交流群
驱动智慧未来:提供一站式AI转型解决方案
沪ICP备2023015588号