一种半导体器件及其制造方法、电子设备

本发明公开了一种半导体器件及其制造方法、电子设备，涉及半导体技术领域，用于提高半导体器件的集成度，利于半导体器件的微缩。所述半导体器件包括：半导体基底、多个半导体结构和第一隔离结构。多个半导体结构设置于半导体基底上，且沿平行于半导体基底表面的方向间隔分布。每个半导体结构包括沿半导体基底的厚度方向间隔设置的第一晶体管和第二晶体管，且第二晶体管位于第一晶体管的上方。第一隔离结构至少设置于半导体基底上。第一隔离结构位于至少一对相邻的两个半导体结构之间，且分别与相邻两个半导体结构中第一晶体管和第二晶体管包括的源漏区接触。第一隔离结构沿半导体基底的厚度方向呈堆叠结构。