半导体器件、芯片及电子设备

本公开提供一种半导体器件、芯片及电子设备，涉及半导体技术领域，具体涉及氮化镓功率器件，旨在解决具有反向阻断特性的半导体器件开启电压高的问题。半导体器件包括衬底、沟道层、势垒层、栅极、源极、漏极和功能层；沟道层和势垒层层叠设置于衬底之上，势垒层相比沟道层远离衬底；栅极位于势垒层远离衬底的一侧；源极和漏极位于势垒层远离衬底的一侧，且分别位于栅极在第一方向上的相对两侧，第一方向为源极、栅极和漏极的排列方向；功能层位于势垒层远离衬底的一侧，且功能层和漏极位于栅极的同一侧；漏极至少覆盖功能层靠近栅极的侧面以及功能层远离栅极的侧面，且漏极与势垒层接触。