一种半导体发光芯片的制作工艺

本发明提供了一种半导体发光芯片的制作工艺，涉及芯片制作工艺技术领域，包括进行晶圆衬底抛光清洗；用MOCVD设备生长外延结构；通过光刻刻蚀系统形成台面结构，用溅射设备沉积ITO层并退火，并制作电极及钝化层；进行晶圆级和单元芯片级测试；用衬底转移系统进行键合转移；进行晶圆切割和封装。本发明步骤A1采用清洗设备对晶圆衬底进行双面抛光和RCA清洗，彻底去除晶圆衬底表面的机械损伤层、有机污染物及金属离子，通过步骤A2对外延结构的外延质量进行实时监控，保障芯片发光性能的稳定性，通过步骤A3采用光刻刻蚀系统进行深紫外光刻和反应离子刻蚀，同时通过溅射设备使导电率提升，改善电流分布均匀性，降低芯片工作电压与功耗。