一种单片MEMS压力芯片的制备方法

本发明提供一种单片MEMS压力芯片的制备方法，它包括在SOI硅片的顶层硅上制备N+的埋层、浅腔的槽状结构，将SOI硅片与双抛硅片键合在一起，在双抛硅片上制备介质隔离结构、集电区、基区，第一注入区和第二注入区，在基区上设置发射区，溅射出与第二注入区、集电区、基区和发射区对应配合的金属引线，在双抛硅片底部向上腐蚀出腔体。本发明提供的制备方案步骤明确，操作性强，可批量制造，具有集成度高、信号灵敏度高、结构强度高、易于传感器集成等优点。