晶圆级芯片封装结构及其制作方法

本发明涉及芯片封装领域，具体为晶圆级芯片封装结构及其制作方法，包括晶圆，晶圆上涂覆设有第一绝缘层，第一绝缘层上溅射有金属种子层，金属种子层上依次设有多层再分布层，再分布层的上端设有第二绝缘层，第二绝缘层上设有接线焊球，通过在第一绝缘层和第二绝缘层之间设置金属种子层和多层的再分布层，实现晶圆级芯片封装，提高芯片的稳定性，然后通过紫外激光切割装置进行切割时，紫外激光切割装置内的激光切割泵源通过降温装置进行高效的降温处理，在降温过程中通过液冷溶液的流动方向变化，实现激光切割泵源的全方位均匀散热，提高激光切割泵源的运行稳定，进而提高芯片切割的质量稳定。