基于Z轴磁场测量的IGBT器件内部电流感知方法及装置

本发明提供了一种基于Z轴磁场测量的IGBT器件内部电流感知方法及装置，涉及电气工程技术领域，该方法包括：在待测压接型IGBT器件的表面设置短线圈阵列，其中，短线圈阵列包括若干个在Z轴向上呈阵列排布的短线圈；将每个短线圈的两端连接积分器电路；测量每个短线圈两端在Z轴向上产生的感应电动势；通过每个短线圈两端连接的积分器电路，将测量的每个短线圈两端产生的感应电动势转换为短线圈附近的电流分布变化；基于短线圈附近的电流分布变化，对器件内部芯片的电流分布状态进行分析。本发明能够精确测量和感知器件内部电流分布，可以准确判断器件内部是否存在过热的芯片区域，及时进行干预，实现安全预警，提高器件的运行寿命。