一种可调谐的双向超材料光吸收器件及其优化、制备方法

AITNT
正文
推荐专利
一种可调谐的双向超材料光吸收器件及其优化、制备方法
申请号:CN202510992134
申请日期:2025-07-18
公开号:CN120559768A
公开日期:2025-08-29
类型:发明专利
摘要
本发明公开了一种可调谐的双向超材料光吸收器件及其优化、制备方法,涉及超材料光学吸收器件技术领域;所述双向吸收器件为金属‑介质‑金属‑介质‑金属‑介质的六层结构,其器件单元自下而上依次为银金属层、液晶介质层、银金属层、液晶介质层、铬金属层和氮化硅圆环;所述双向光吸收器件能够在0.6‑1.6μm的波长范围内对顶部入射平面光实现宽带吸收,对底部入射的平面光实现窄带吸收。通过改变所述液晶介质层中的液晶分子偏向角可调控器件对顶部或底部入射光的吸收率大小与吸收带宽范围,实现可调谐性。本发明能够实现器件在多重目标约束下的结构参数优化设计。
技术关键词
液晶介质 超材料 物理气相沉积方法 氮化硅 平面光 聚合物膜表面 人工智能半监督学习 电磁仿真 结构参数优化设计 算法框架 电子束蒸发技术 强化学习技术 液晶材料 残留光刻胶 微米级球形 液晶取向膜 分子 擦拭机
系统为您推荐了相关专利信息
1
光芯片集成模块及其制造方法
光芯片 波导 集成模块 激光器芯片 聚合物
2
基于NASH均衡博弈理论的太赫兹超材料多目标优化方法
太赫兹超材料 超材料传感器 传感器结构 策略更新 多性能参数
3
一种智能自适应转炉冶炼火点区温度监测系统及方法
温度监测系统 供气模块 温度传感器组 冷却模块 氧枪
4
一种散热型封装构件及其形成方法
散热型 半导体芯片 树脂封装层 绝缘 离子注入工艺
5
一种量子芯片底层电路制备方法及量子芯片
超导金属 量子芯片 硬质材料层 电路 超导体
添加客服微信openai178,进AITNT官方交流群
驱动智慧未来:提供一站式AI转型解决方案
沪ICP备2023015588号