一种GaAs变容二极管芯片结构及其制备方法

本发明提供一种GaAs变容二极管芯片结构及其制备方法，涉及半导体器件技术领域。该芯片结构包括：GaAs半绝缘衬底、N型欧姆接触台、N型欧姆接触电极、N型肖特基接触台和N型肖特基接触电极；GaAs半绝缘衬底上设置N型欧姆接触台，N型欧姆接触台上设置N型肖特基接触台和N型欧姆接触电极；其中，N型肖特基接触台的纵截面的下边长大于上边长；N型肖特基接触台上设置N型肖特基接触电极；其中，N型欧姆接触电极靠近N型肖特基接触电极的一端将N型肖特基接触电极半包围，N型肖特基接触电极和N型肖特基接触台之间悬空，形成空气桥结构。本发明能够解决制备小电容器件，在增大台面时减小寄生参量。