一种声表面波滤波器芯片结构和制造方法

本公开实施例提供一种声表面波滤波器芯片结构和制造方法。该结构包括：基底，包括第一衬底、位于第一衬底表面的介质层和位于介质层表面的压电层；第一金属层，位于压电层表面，其中第一金属层至少被分为第一金属层谐振器部、第一金属层谐振器间隔部、第一金属层谐振器电气连接部和第一金属层芯片周边部；第二金属层，包括第二金属层谐振器间隔部、第二金属层谐振器电气连接部和第二金属层芯片周边部；第三金属层，包括第三金属层谐振器间隔部、第三金属层谐振器电气连接部和第三金属层谐振器周边部；第二衬底，位于第三金属层之上，其靠近第一衬底一侧的表面和第三金属层相连；空腔结构，位于第二衬底和第一金属层谐振器部之间。