探测器芯片材料性能和工艺能力的验证器件

本发明涉及一种探测器芯片材料性能和工艺能力的验证器件，属于红外探测器芯片制造领域。在GaSb衬底上生长的nBp叠层结构的红外探测器材料，集成了包括：大小不同光敏元面积的芯片结构；多个金属‑绝缘层‑半导体结构且其中至少有一个金属‑绝缘层‑半导体结构中的电容面积是其它电容面积的1000‑20000倍；在n型电极层和p型电极层分别分布间隔不等的矩形电极所形成的传输线模型结构；多组光敏元且每组光敏元包括待测光敏元以及四个相同面积的相邻光敏元。该验证器件可较全面评价探测器芯片材料性能和探测器芯片工艺能力，为迭代材料结构设计和优化芯片制造工艺参数提供重要参考数据。