电磁屏蔽结构制作方法和封装结构

本发明涉及半导体封装技术领域，具体为电磁屏蔽结构制作方法和封装结构，包括：提供设有第一元件的衬底，利用3D打印技术在衬底上形成屏蔽部，所述屏蔽部由柔性电磁屏蔽材料与纳米导电材料复合构成，并设于第一元件的外围；该步骤包括构建三维模型、识别目标位置，并在目标位置预成型屏蔽结构。随后向衬底注入塑封料，形成包封第一元件和屏蔽部的塑封体，并通过交联反应增强两者的结合力。对塑封体进行研磨，使屏蔽部暴露于表面。最后在屏蔽部表面形成金属层，并实现与接地结构的电连接。该方法通过复合材料与结构优化，提高了屏蔽结构的稳定性、抗模流冲击能力和电磁屏蔽效果，增强了整体封装的可靠性与适应性。