低导通电阻封装结构及其加工方法

本发明提供了一种低导通电阻封装结构及其加工方法，属于陶瓷封装技术领域，包括：陶瓷外壳、金属柱、上金属垫以及芯片，陶瓷外壳具有开口向上的封装腔；封装腔的底部设置有贯通孔；金属柱穿设于贯通孔内；上金属垫焊接在金属柱的上端；芯片设置于封装腔的底部，通过键合丝连接上金属垫。本发明提供的低导通电阻封装结构，基于高温共烧陶瓷技术，采用金属柱、金属垫等独立的金属部件与陶瓷外壳进行焊接制成封装结构。金属零件替代了传统高温共烧陶瓷外壳中以钨金属为主的混合导体浆料，极大降低了信号传输路径的导通电阻，相同热功耗情况下，有效提升了工作电流，进而提升了信号传输路径承载大电流的能力。