超导量子芯片的测试和制备方法、测试结构及制备方法

本发明适用于超导量子技术领域，尤其涉及一种超导量子芯片的测试和制备方法、测试结构及制备方法。测试方法包括：提供超导量子芯片；将导电胶覆盖在超导量子芯片边缘四周或者局部的金属导电膜上，且导电胶与若干约瑟夫森结不接触；通过测试设备对覆盖导电胶的超导量子芯片进行约瑟夫森结的电阻测试，测试设备为覆盖导电胶的超导量子芯片提供电压，测试设备的第一端与某个约瑟夫森结的结区上表面接触，且该端与该约瑟夫森结的结区电连接，测试设备的第二端与导电胶电连接。本发明实现了低电流，高精度测试，电流级别在pA甚至fA级别，解决了约瑟夫森结测试中易损坏或击穿结的问题。