半导体器件及芯片

本公开提供了一种半导体器件及芯片，涉及半导体技术领域，旨在解决半导体器件性能较差的问题；半导体器件包括衬底和多个晶体管；多个晶体管位于衬底的一侧，晶体管包括沟道层、势垒层和栅极；势垒层位于沟道层远离衬底的一侧；栅极位于势垒层远离衬底的一侧；其中，多个晶体管包括第一类晶体管，第一类晶体管还包括至少一层盖帽层，盖帽层位于栅极和势垒层之间；第一类晶体管包括第一晶体管和第二晶体管，第一晶体管中的盖帽层的总厚度，大于第二晶体管中的盖帽层的总厚度；上述半导体器件应用芯片中。