金刚石陶瓷半导体封装管壳和算力芯片的封装结构

本实用新型涉及一种金刚石陶瓷半导体封装管壳和算力芯片的封装结构，封装管壳包括位于底部的衬底和位于周围的管壁，管壳衬底内侧设有多层布线基体，多层布线基体包括交替沉积的导电膜层和绝缘膜层的多层薄膜结构，该基体的顶层导电膜层上面还包括有沉积的第一类金刚石膜，该第一类金刚石膜上设有焊接芯片的焊盘。算力芯片的封装结构，包括金刚石陶瓷封装管壳、盖板、算力芯片以及通过沉积形成的第二类金刚石膜，算力芯片与第一类金刚石膜的焊盘焊接，第二类金刚石膜将算力芯片与金刚石陶瓷封装管壳连为一体。薄膜结构的多层布线基体能有效提升封装芯片高保真性能及散热功效，并使得封装芯片更加小型化。