一种纳米级硅通孔三维集成结构及其制备方法、电子设备

本申请提供一种纳米级硅通孔三维集成结构及其制备方法、电子设备，涉及半导体技术领域，提供衬底，在衬底的一侧形成第一键合层，并在其背离衬底的一侧形成第一硅基晶圆，对第一硅基晶圆进行刻蚀处理，形成多个贯穿第一硅基晶圆的第一硅通孔，并填充第一金属；在第一硅基晶圆背离衬底的一侧形成第二键合层，并在其背离第一硅基晶圆的一侧形成第二硅基晶圆，并对其进行刻蚀处理，形成多个贯通第二硅基晶圆的第二硅通孔，并填充第二金属得到纳米级硅通孔三维集成结构。通过上述方法可以实现纳米级硅通孔三维集成结构的制备，还为实现高密度、小型化、多功能集成提供了可能，满足了现代电子产品不断增长的需求。