一种SiC超结LDMOS器件及制造方法

本发明实施例提供了一种SiC超结LDMOS器件及制造方法，包括P型衬底；N型外延层，设于P型衬底的上方；第一P型区和第二P型区，分别设于N型外延层内；第一P型区的长度大于第二P型区；第一N型区位于第一P型区的上方；第二N型区位于第二P型区的上方；P型体区，设于N型外延层内且靠近第一P型区的一侧。通过对第一P型区、第二P型区、第一N型区和第二N型区的厚度、宽度、掺杂浓度的设置，能够实现在反向耐压时使得器件漂移区全部耗尽，第一N型区和第二N型区的电离施主发出的电力线指向第一P型区和第二P型区的电离受主，抬升了N型外延层的表面电场，从而提高了器件的击穿电压。