一种倒装LED芯片的制作方法

本发明涉及半导体发光器件制造技术领域，具体为一种倒装LED芯片的制作方法，包括以下步骤：步骤一、在图形化蓝宝石衬底上制作外延层，包括N‑GaN、量子阱、P‑GaN；步骤二、制作MESA蚀刻出N型区域及确定芯片大小和沟道；步骤三、制作ISO将切割道中间部分蚀刻到图形化蓝宝石衬底；步骤四、制作透明导电层；步骤五、制作非金属反射层；步骤六、制作金属导电反射层；步骤七、制作非金属钝化层一；步骤八、制作金属串联电极一；步骤九、制作非金属钝化层二；步骤十、制作金属电极二。通过优化ICP工艺参数，将传统的DBR‑ICP刻蚀和SiO2湿法腐蚀两步工艺整合为一步干法刻蚀，简化了工艺流程。