一种基于沟槽工艺的SiC MOSFET芯片终端结构

本发明公开了一种基于沟槽工艺的SiC MOSFET芯片终端结构，包括：终端区n型漂移区和多个基本单元；其中，多个基本单元沿终端区n型漂移区的长度方向依次设置于终端区n型漂移区上。本发明解决了传统SiC MOSFET终端面积较大的问题。