芯片结构及其制作方法、车辆

本发明提供了一种芯片结构及其制作方法、车辆。具体地，芯片结构包括：衬底层和N型漂移层，N型漂移层设置于衬底层的上表面，在N型漂移层上表面至少层叠设置有场氧层、栅氧化层、多晶硅栅极和绝缘介质层，在栅氧化层与N型漂移层的N型漂移区之间形成有元胞结构；元胞结构所在的区域开设有第一类源极接触孔，第一类源极接触孔从绝缘介质层贯穿至N型漂移层的上表面设置，绝缘介质层上开设有栅极接触孔，栅极接触孔从绝缘介质层的外侧贯通绝缘介质层至多晶硅栅极的表面设置；栅极接触孔和第一类源极接触孔之间设置有第二类源极接触孔。本申请解决了现有技术中SiC MOSFET芯片在关断过程中因能量逸出路径过长导致的源极接触孔过热的问题。