一种射频芯片双面互连倒装结构及其制备方法

本发明涉及微电子封装技术领域，旨在解决现有的射频芯片封装过程中，双面倒装后上下两层金属凸点高度偏差过大，阻抗特性差，严重影响射频性能的问题，提供一种射频芯片双面互连倒装结构及其制备方法；射频芯片双面互连倒装结构，包括呈层叠布置的第一基底、第二基底和第三基底；第一基底的正面、第二基底的正反两面和第三基底的正面均设置有键合焊盘；第一基底倒装布置，第一基底与第二基底之间通过第一金属凸点垂直互连，第二基底和第三基底通过第二金属凸点垂直互连；第二金属凸点维氏硬度为第一金属凸点维氏硬度的1/2~5/6；第二金属凸点的高度大于第一金属凸点的高度；本发明能够保证双面倒装上下两层凸点高度的一致性。