高密度衬底叠层封装结构和封装方法

AITNT
正文
推荐专利
高密度衬底叠层封装结构和封装方法
申请号:CN202411604387
申请日期:2024-11-12
公开号:CN119133139B
公开日期:2025-03-07
类型:发明专利
摘要
本申请提供的一种高密度衬底叠层封装结构和封装方法,涉及半导体封装技术领域。该高密度衬底叠层封装结构包括第一芯片、导电线弧、第一塑封体和第一介质层。第一芯片具有第一焊盘。导电线弧的两端连接于同一第一焊盘。第一塑封体包覆第一芯片;第一介质层内设有与导电线弧电连接的第一布线层。第一介质层覆盖在第一塑封体靠近第一焊盘的一侧。第一介质层表面设有与第一布线层电连接的第一凸点。可减小研磨过程中芯片受到的剪切力,防止芯片受损或出现隐裂。
技术关键词
衬底叠层 封装结构 封装方法 散热焊盘 高密度 芯片 介质 布线 填充胶 半导体封装技术 接地点 环形 凸点 空腔 导电柱
系统为您推荐了相关专利信息
1
一种半导体芯片的封装方法及半导体芯片
引线框架 半导体芯片封装 封装方法 集成电路封装技术 抗氧化剂
2
一种基于全基因组SNP信息的华西牛基因组选配方法及应用
选配方法 综合选择指数 遗传算法 动物育种技术 矩阵
3
一种芯片封装模组
芯片封装模组 芯片封装结构 夹持件 散热器 通孔
4
一种自适应半导体封装检测方法
矩阵 封装工艺 电信号 翘曲缺陷 生成算法
5
封装结构及其制造方法
导热结构 散热结构 封装结构 中介层 互连结构
添加客服微信openai178,进AITNT官方交流群
驱动智慧未来:提供一站式AI转型解决方案
沪ICP备2023015588号