一种低温下光子芯片中掺杂的稀土离子的测量装置及方法

本申请提供了一种低温下光子芯片中掺杂的稀土离子的测量装置及方法，属于光子芯片低温光学探测领域；解决了现有集成光学芯片低温下荧光测量不方便的难题；包括：待测样品：待测样品由光耦合的光子芯片与光纤阵列组成；其中光子芯片采用掺杂有稀土离子的薄膜铌酸锂光子芯片；低温样品台：用于放置待测样品，并使其处于低温环境；半导体激光源：用于发射激光源；偏振控制器：连接在待测样品的光纤输出端口上，用于对激光源的偏振态进行控制，然后将光照射到待测样品上，通过待测样品上的光纤阵列导入激光并收集荧光信号；光探测器：用于分离激发光和荧光信号，实现对稀土离子的荧光探测；本申请应用于液氦温度下光子芯片中稀土离子的荧光测量。