应用于先进制程SRAM软失效的定位方法和系统

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应用于先进制程SRAM软失效的定位方法和系统
申请号:CN202511065605
申请日期:2025-07-30
公开号:CN120761814A
公开日期:2025-10-10
类型:发明专利
摘要
本发明提供了一种应用于先进制程SRAM软失效的定位方法和系统,方法包括:确定芯片发生失效的边界条件;激光扫描测试:在边界条件周围的条件下使用激光对芯片上的像素点逐个扫描,以激发芯片Pass/Fail状态改变,使得失效位置与正常位置产生衬度差异,得到激光扫描图像和衬度图像;将激光扫描图像和衬度图像叠加,以在激光扫描图像上找到失效位置,再将激光扫描图像和对应的版图图层比对,根据失效位置在版图图层上定位热点。本发明可以通过现有的光发射显微镜设备结合测试机实现对芯片的动态测试,结合光发射显微镜设备的激光扫描功能在芯片失效与正常临界状态下主动激发芯片状态发生变化,从而进行失效位置的定位,提升了先进集成电路SRAM的良率和可靠性。
技术关键词
版图图层 定位机台 定位方法 制程 图像 显微镜设备 芯片 像素点 激光扫描功能 先进集成电路 测试机 热点 测试模块 定位系统 定位模块 激光束 信号 序列 动态
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