低电场强度二极管芯片扩散工艺

本发明涉及一种低电场强度二极管芯片扩散工艺，步骤如下：硅片预处理；液态硼源旋涂；热扩散；硼面减薄；硅片处理；液态磷源旋涂；二次热扩散；双面减薄及表面处理；氧化退火处理。本发明采用前硼再磷的扩散方法，在硼扩散后进行双面减薄，去除硼浓度较高的表面层，硅片表面的硼浓度降低，减少了晶格畸变，降低错位和缺陷；减少硅片表面硼的堆积，降低硼扩散带来的不均匀性和后续工艺难题，保证产品的稳定性和良品率；减少硅片中的复合中心，降低载流子的复合几率，提高载流子寿命和迁移率，均匀分布的硼不会在硅晶格中引入额外应力，防止硅片的翘曲度增加；保证腐蚀的速率一致，提升器件的整体性能。