一种缓蚀增强型芯片清洗剂、其制备方法与应用

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一种缓蚀增强型芯片清洗剂、其制备方法与应用
申请号:CN202511109602
申请日期:2025-08-08
公开号:CN120967359A
公开日期:2025-11-18
类型:发明专利
摘要
本发明涉及一种缓蚀增强型芯片清洗剂、其制备方法与应用,其中缓蚀增强型芯片清洗剂,按照重量份计算包括如下组分:吡喃糖苷类缓蚀剂0.001‑0.01份;螯合剂0.1‑0.5份;有机酸0.1‑2份;氟化物0.1‑2份;有机溶剂60‑90份;超纯水20‑50份,所述吡喃糖苷类缓蚀剂为烷基硫代吡喃糖苷。本发明采用烷基硫代吡喃糖苷缓蚀剂,铝表面溶液中的Al³+位点可与硫原子结合,形成配位键,使分子定向吸附于铝表面。硫的强配位能力可与污染物中的金属离子形成配位中间体,降低其与铝基体的结合能,从而促进螯合剂对污染物的溶解,吡喃糖环上的羟基可与铝表面的羟基化层形成氢键网络,增强分子与氧化膜的附着力,从而增强缓蚀作用。
技术关键词
芯片清洗剂 硫代吡喃葡萄糖 缓蚀剂 螯合剂 硫代吡喃半乳糖苷 清洗半导体芯片 氟化物 超纯水 有机酸 咪唑 氟硅酸铵 二甲基亚砜 三氟乙酸 辛基 戊二酸 氟化铵 四氢呋喃 乙酸乙酯 马来酸
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