一种基于多级校准的MOSFET器件建模方法

本发明公开一种基于多级校准的MOSFET器件建模方法，涉及半导体器件建模技术领域，用于解决现有MOSFET器件建模导致工艺波动下器件‑电路性能的系统性偏差过大的技术问题；本发明的基于多级校准的MOSFET器件建模方法，包括：建立MOSFET器件的初始模型；进行器件级电学特性校准；基于初始模型重构包含金属互连层、接触孔阵列及阱区的三维几何结构，通过提取分布式寄生参数后作为边界条件嵌入初始模型，生成包含真实寄生效应的电路级仿真实体；通过迭代调整接触，匹配反相器的上升/下降时间及传播延迟；在电路动态性能与实测数据的偏差超过阈值时触发反向回溯流程，逆向调整寄生节点参数或器件对应的初始模型；在该偏差小于或等于阈值时，完成MOSFET器件建模。