一种基于多级校准的MOSFET器件建模方法

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一种基于多级校准的MOSFET器件建模方法
申请号:CN202511113729
申请日期:2025-08-11
公开号:CN120611686B
公开日期:2025-09-30
类型:发明专利
摘要
本发明公开一种基于多级校准的MOSFET器件建模方法,涉及半导体器件建模技术领域,用于解决现有MOSFET器件建模导致工艺波动下器件‑电路性能的系统性偏差过大的技术问题;本发明的基于多级校准的MOSFET器件建模方法,包括:建立MOSFET器件的初始模型;进行器件级电学特性校准;基于初始模型重构包含金属互连层、接触孔阵列及阱区的三维几何结构,通过提取分布式寄生参数后作为边界条件嵌入初始模型,生成包含真实寄生效应的电路级仿真实体;通过迭代调整接触,匹配反相器的上升/下降时间及传播延迟;在电路动态性能与实测数据的偏差超过阈值时触发反向回溯流程,逆向调整寄生节点参数或器件对应的初始模型;在该偏差小于或等于阈值时,完成MOSFET器件建模。
技术关键词
器件建模方法 MOSFET器件 金属互连层 器件仿真 半导体工艺 校准 定义 接触孔 半导体器件建模技术 参数 电路仿真模型 网格 电压特性曲线 反相器 沟槽隔离结构 重构 界面态密度 衬底 短沟道效应 节点
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