一种沟槽型MOS晶体管功率器件及其制备方法

本发明提供了一种沟槽型MOS晶体管功率器件及其制备方法。该器件包括衬底、外延层、第一沟槽、第二沟槽、栅极绝缘层和栅极材料。第一沟槽和第二沟槽分布在外延层上，通过栅极绝缘层实现物理隔离。第一沟槽的栅极绝缘层较厚，增强耐压性能。制备方法涉及形成沟槽、填充栅极绝缘层和栅极材料、图形化刻蚀、离子注入形成阱区和源区、形成金属布线等步骤。该器件具有高耐压性能、低漏电、低功耗，适用于电力电子应用，提高了可靠性和效率，满足高性能功率器件的发展需求。