一种4H导电型碳化硅晶片自籽晶端引起的层错数目判定方法

本发明涉及半导体技术领域，公开了一种4H导电型碳化硅晶片自籽晶端引起的层错数目判定方法，旨在解决传统缺陷检测滞后、高成本，无法快速、低成本量化预测4H导电型碳化硅晶片层错在晶锭内分布及影响范围，制约生产良率与工艺调控的问题。该方法其特征在于，基于单一取样晶片层错空间分布精确测量，结合4H‑SiC晶体学及几何学关系，构建数学模型预测层错在晶锭纵向延续范围，从而确定晶锭内受此类层错影响的晶片总数。包括晶锭预处理、测试晶片选取、缺陷显化、参数数字化提取、延续晶片数目模型化计算及含层错晶片总数判定等步骤。通过采用上述技术方案，本申请能够实现层错缺陷分布的快速、低成本量化预测，将事后检测转变为过程预测与前馈控制，有效提升生产良率及工艺调控能力。